Как подобрать тайминги оперативной памяти ddr4

9 ошибок при выборе оперативной памяти для новой сборки

Содержание

Содержание

При выборе оперативной памяти важен не только объем и цвет радиатора, но также частота, тайминги, тип микросхем. Не зная об этих характеристиках, пользователь подберет комплект методом «два ядра, два гига» — и дело в шляпе. Но через пару дней после запуска компьютера он столкнется с низкой производительностью, фризами и подергиваниями в играх. Чтобы не допустить такого в новом компьютере, нужно знать об основных критериях выбора и ошибках, которые часто совершают пользователи.

При сборке системы легче всего определиться с процессором или видеокартой — устройства ярко очерчены ценовой категорией, поэтому каждый знает наверняка, что ему по карману. С оперативной памятью так не получится.

Пользователь обязательно испытает «неполадки» с выбором: после штудирования ассортимента окажется, что за одну и ту же стоимость можно найти совершенно разные по характеристикам и внешнему виду устройства. Стильный радиатор и ARGB-подсветка или «красивые» цифры на коробке и невзрачный внешний вид — как правило, многие делают ошибки, начиная с этого момента. Дальше — еще интереснее.

Погоня за объемом

Когда-то считалось, что компьютер станет быстрее, если ему «добавить памяти». Это легко объяснить: ПК долго оставался предметом роскоши, поэтому владельцы экономили на комплектующих, чтобы позволить себе даже самый скудный набор «компьютерщика». Первой в списке «ненужных» характеристик оказывалась оперативная память, благодаря чему получалось сэкономить на более мощный процессор. Поэтому после установки второй планки памяти компьютер становился как новый — решение было не в дополнительном, а в достаточном объеме.

С тех пор экономия на объеме вышла из моды, но стереотип «больше-лучше» остался. Поэтому многие пользователи все еще стараются обеспечить систему как минимум двукратным запасом DRAM, делая выбор в пользу объемных модулей с посредственными скоростными характеристиками. При этом они выбирают самые недорогие комплекты, чтобы уложиться в запланированную сумму. На самом деле современной игровой сборке достаточно выделить 16 ГБ оперативной памяти. Если компьютер нужен для работы, то хватит 32 ГБ. Можно установить и 64 ГБ — но это экстремальные цифры, которые вряд ли принесут пользу домашнему юзеру, зато потянут за собой расходы, и могут даже отказаться работать с бюджетной материнской платой.

Разобрались — памяти должно быть достаточно для игр или работы. Сам по себе объем не играет роли в максимальной производительности компьютера. Важнее подобрать модули с хорошими скоростными показателями. Например, 16 ГБ с высокой тактовой частотой и низкими таймингами окажутся в разы эффективнее 32 ГБ или 64 ГБ со средними характеристиками.

Одна, две, четыре? Дайте шесть!

С объемом памяти определились — ставим 16 ГБ или 32 ГБ. Для игр точно хватит, и запас останется на случай, если придется подрабатывать монтажером у Спилберга или рисовать мультфильмы для Disney. Осталось выбрать интересующий нас комплект и нажать кнопку «Сделать заказ». Но постойте — вот комплект на 32 ГБ. А вот еще один комплект на 32 ГБ. Первый набран двумя планками, а второй — четырьмя. Какой покупать? Давайте разбираться.

Современные системы построены на материнских платах с разным количеством разъемов DIMM под установку планок оперативной памяти. На рынке встречаются системы с двумя, четырьмя и даже восемью разъемами. Но это не значит, что для лучшего эффекта пользователь должен заполнить все свободные места. Напротив, некоторым системам противопоказано более двух планок, а другие спокойно переварят четыре. И дело вот в чем.

Многоканальность памяти

Оперативная память может работать с информацией в нескольких режимах. Для обычных настольных компьютеров это одноканальный и двухканальный режимы. В первом случае система заполняет данными сначала первый модуль ОЗУ, затем второй, третий и так далее. Это ограничивает пропускную способность подсистемы памяти. Во втором случае компьютер распределяет данные одновременно по всем установленным модулям памяти и работает с удвоенной скоростью.

Как правило, одноканальный режим включается только при использовании одной планки памяти, а с двумя или четырьмя задействован двухканальный режим. При этом важно соблюдать четность — две планки и четыре включают Dual Channel, а три планки ломают эту идиллию. Многие также думают, что канальность памяти строго привязана к количеству разъемов на плате — это не так. Настольные системы типа Desktop поддерживают только двухканальный режим работы, при этом могут иметь как два, так и четыре разъема DIMM. Другое дело —экстремальные платформы HEDT.

HEDT или High-End Desktop — платформа, которая комбинирует в себе лучшее из настольных и серверных компьютеров. Как правило, эти процессоры обладают большим количеством ядер, а также поддержкой четырехканального режима работы ОЗУ. Для таких сборок справедливо равенство: две планки = двухканальный режим, а четыре планки = четырехканальный режим.

Одноранговая или двухранговая

Кроме объема и каналов памяти существует такая характеристика, как ранг памяти. Если вдаваться в технические подробности, то можно запутаться и забыть, для чего собирается новый компьютер.

Достаточно знать, что оперативная память бывает одноранговой и многоранговой (двух, четырех и даже восьми) — это зависит от типа микросхем. Например, модуль ОЗУ стандарта DDR4 объемом 16 ГБ может быть набран двумя способами — шестнадцать микросхем по 8 бит или восемь микросхем по 16 бит. В первом случае память окажется одноранговой, так как строится только на одноранговых чипах. Во втором случае модуль станет двухранговым — фактически сразу два одноранговых модуля в одной пачке.

Как правило, на стабильность системы ранговость памяти не влияет. Современные материнские платы совместимы практически со всеми актуальными моделями DDR4. Зато в некоторых случаях производительность может быть выше на двухранговых модулях. Этот эффект зависит от контроллера процессора и особенностей программного обеспечения, в котором измеряется производительность. Мы уже разбирались в этом вопросе, и поиск ответов занял целую статью. Тогда же мы выяснили, как влияет канальность памяти на производительность.

Не забываем — принцип «возьму одну, потом докуплю вторую» больше не работает. Современные системы рассчитаны на работу с двумя модулями и больше. При этом не стоит гнаться за количеством планок: два модуля по 8 ГБ или два по 16 ГБ спокойно уживаются на любой актуальной материнской плате. Также следим за совместимостью. Некоторые материнские платы обладают лишь двумя разъемами под ОЗУ, поэтому покупка комплекта памяти из четырех планок будет бессмысленной.

Степпинги памяти и на что они влияют

Уже уходите? Постойте, мы не определились с типом микросхем. Точнее, с их степпингами. Несмотря на то, что чипы DDR4 объединены одной технологией, их качество может отличаться от модели к модели. Производство полупроводниковых деталей сопряжено с большим количеством отбраковки. Микросхемы, не прошедшие контроль высшего качества, попадают на следующий и так, пока микросхема не найдет свою нишу. Градации качества чипов обозначаются как A-die, B-die, C-die, M-die и далее по алфавиту.

Тип микросхем влияет на способность памяти работать на высокой тактовой частоте с низкими таймингами. Вряд ли этот пункт заинтересует сборщика офисных систем, но геймер со стажем должен понимать, насколько ценны для производительности платформы дополнительные 100 МГц. Поэтому перед выбором ОЗУ для нового компьютера нужно помнить про степпинги. Качество чипов определить легко: как правило, модули с заводской частотой от 3600 МГц и выше будут определенно лучше, чем модули с частотой 2133 МГц и даже 3000 МГц. При этом не забываем про тайминги — в этом мы уже подробно разбирались.

Запомним — от качества микросхемы зависит максимальная тактовая частота и тайминги модулей. Чем выше частота и ниже тайминги, тем быстрее работает компьютер. Естественно, с ростом качества чипов меняется и стоимость планок. Чтобы правильно выбрать «ту самую» модель и не ошибиться, читаем подробный материал.

Тактовая частота или XMP-профиль

Тайминги и тактовая частота — это параметры, которые влияют на производительность памяти. Изменяя их значения в сторону улучшения производительности, пользователь разгоняет компьютер. Неправильная настройка может стать причиной ошибок и нестабильной работы, а в некоторых случаях — и полного выхода техники из строя. Чтобы исключить эти проблемы, производители ОЗУ заранее тестируют модули на заводе и присваивают им готовые профили разгона XMP или DOCP.

Основная ошибка при выборе модулей с разными профилями XMP — это слепая гонка за частотой. Производители намеренно возвели тактовую частоту в ранг единственной полезной характеристики, по степени важности идущей сразу после объема, поэтому пользователь выбирает память по гигабайтам и гигагерцам. Но будут ли эти параметры эффективными в тандеме с остальными комплектующими? Не всегда.

Например, платформы с процессорами Intel проще относятся к разгону DRAM, поэтому для флагманских материнских плат с чипсетом Z-серии можно выбрать планку с любой частотой, и она будет функционировать штатно. Другое дело — системы на базе AMD. Известно, что процессоры этого производителя способны стабильно работать с максимальной частотой памяти 3800 МГц. Встречаются редкие экземпляры, которые удерживают 4000 МГц без потери производительности, но это случай один на миллион.

Вывод — не гонимся за экстремальным показателем частоты, а выбираем модули по возможностям системы. Если пользователь не уверен в способностях своей платформы, то можно остановиться на значениях 3600-3800 МГц. Этих цифр достаточно для полноценной работы компьютера в играх и рабочих задачах. Исключения составляют сборки, где вместо дискретной видеокарты используется встроенное в процессор графическое ядро. В таком случае работает правило «больше-лучше» — подробнее об этом здесь.

Радиатор — зло?

Сразу оговоримся — стандартным планкам радиатор не понадобится. Это касается модулей всех производителей и поколений. Для микросхем DRAM существуют безопасные пределы частоты, таймингов и напряжения, которые регулируется стандартами JEDEC. Это значит, что ОЗУ без разгона сможет работать без отвода тепла в любых задачах. Стандартный модуль объемом 8 ГБ поколения DDR4 выделяет максимум 3 Вт тепла — это сразу на все восемь микросхем.

Если же оперативная память работает на повышенных настройках тактовой частоты, то, скорее всего, она также требует повышенного напряжения. Такие планки рекомендуется использовать с радиаторами, хотя в рабочих задачах и играх температура планок поднимется скорее из-за нагрева окружающего воздуха в корпусе, а не от повышенного энергопотребления самих чипов.

Другое дело — специфические задачи, которые используют производительность компьютера точечно. Например, работают только с ОЗУ компьютера. В таком случае оперативная память будет функционировать на пределе, и повышенный нагрев чипов гарантирован. Здесь без радиаторов не обойтись.

Собирая игровой компьютер, пользователь покупает оперативную память с заделом на будущее. Он выбирает комплекты с высокими цифрами в профиле XMP. Значит, модули памяти будут работать на пределе возможностей, что точно «поджарит» компоненты без хорошего теплоотвода. Но не стоит увлекаться гигантизмом охлаждения. Любой заводской радиатор почти избыточен для охлаждения чипов, а лишний сантиметр алюминия норовит задеть систему охлаждения процессора и пустить под откос все старания сборщика-перфекциониста.

Дайте больше света

Подсветка не влияет ни на качество оперативной памяти, ни на ее ходовые характеристики. Наличие разноцветных диодов в радиаторе меняет только один параметр — это стоимость комплекта памяти. При этом переплата за красоту может с легкостью перебить стоимость более качественных моделей с высокой частотой и привлекательным объемом.

Конечно, подсветка — это безобидный элемент, который существует отдельно от конструкции оперативной памяти. Но некоторые пользователи заметили, что модули с включенной подсветкой нагреваются сильнее. Это удивительно, так как светодиоды обладают маленькой мощностью и почти не греются во время работы. Тем не менее встроенные в модули датчики показывали кардинальную разницу. Возможно, это сбой в показаниях термопары при включенной подсветке или дополнительный нагрев от контроллера подсветки. Удивительно, но факт.

Выбирать комплект памяти с подсветкой — не ошибка, а соответствие моде. Выбирать комплект памяти ради подсветки — вот грубая ошибка. Причем так делает большинство юзеров, жертвуя плавностью геймплея ради бутафорской красоты. И в этом случае концепция одна — если хочется красиво и мощно, то готовимся потратить минимум в полтора раза больше, чем планировали.

Выбрали?

Не расслабляемся — после покупки модулей памяти придется проверить их на «свежесть». Оперативная память — сложное техническое устройство, которое может оказаться с недостатком уже с завода. Чтобы избавить себя от проблем со стабильностью и сохранить ценную информацию от сбоев, лучше проверить ОЗУ на ошибки. Как — читаем.

И только после этого можно со спокойной совестью включить компьютер, загрузить любимую игру и насладиться плавным геймплеем на максимальных настройках графики. И в этот момент подсветка планок и размер радиаторов уже не будут никого интересовать.

Источник

Тайминги оперативной памяти: разбираемся, какие значения лучше

Что означают эти непонятные цифры на оперативной памяти для ПК? Ведь тайминги напрямую влияют на ее быстродействие, но их величина — это вовсе не объем и не скорость. Рассказываем понятным языком и объясняем, какие параметры лучше.

При выборе оперативной памяти для ПК многие пользователи сталкиваются с вопросом изучения характеристик чипов, в том числе рабочих частот и таймингов. Но если с первыми все понятно — чем они выше, тем быстрее память, то со вторыми не все так просто. Мы расскажем, для чего нужен этот параметр и как выбрать планку с оптимальными значениями таймингов.

Что влияет на скоростные параметры ОЗУ

От скоростных показателей оперативной памяти зависит как быстро будет осуществляться обмен данными между процессором и жестким или твердотельным диском и системой. Чем выше частота работы чипов, тем больше операций чтения/записи она может выполнить в единицу времени. Конечно, от объема оперативной памяти также зависит общее быстродействие ПК, но лишь в определенных программах.

Это может быть интересно:

Характеристики памяти

Возьмем конкретный пример: планка оперативной памяти DDR3 1600 RAM имеет в обозначениях еще и такие характеристики, как PC3 12800, а у модуля DDR4 2400 RAM указано PC4 19200. Что это означает? Первая цифра указывает на частоту работы памяти в МГц, то вторая связана с битами:

1 байт = 8 бит

Из этого можно вычислить, что DDR3 с частотой 1600 МГц сможет обработать 12800 МБ/сек. Аналогично этому DDR4 2400 сможет пропустить через себя данные со скоростью 19200 МБ/сек. Таким образом, со скоростью обработки данных разобрались.

Теперь плавно переходим к таймингам. Эти цифры также указывают на наклейках на оперативной памяти в виде счетверённых через дефис цифр, например, 7-7-7-24, 8-8-8-24 и т.д. Эти цифры обозначают, какой промежуток времени (задержка) необходим модулю RAM для доступа к битам данных при выборке из таблицы массивов памяти.

Эта задержка характеризует, какое количество тактовых импульсов необходимо для считывания данных из ячеек памяти для 4-х таймингов. Самая важная из четырех цифр — первая, и на этикетке может быть написан только она.

Это может быть интересно:

Поэтому в этих характеристиках действует обратный принцип: чем меньше числа, тем выше скорость. А меньшая задержка обеспечит возможность быстрее считать или записать данные в ячейку памяти, а затем достигнуть процессора для обработки.

Тайминги замеряют период ожидания (CL, CAS Latency, где CAS — Acess Strobe) чипа памяти, пока он обрабатывает текущий процесс. Т.е. это время между получением команды на чтение и ее выполнением.

Со следующими двумя цифрами все несколько сложнее. Вторая цифра в строке таймингов (RAS-CAS) является ничем иным, как отрезком времени между получением команды «Active» и выполнением поступающей после нее команды на чтение или запись. Здесь все так же — чем меньше, тем лучше.

Третья цифра, RAS Precharge — время, которое проходит между завершением обработки одной строки и переходом к другой.

Последняя цифра демонстрирует параметр памяти Row Active. Он определяет задержку, в течение которой активна одна строка в ячейке.

Какие тайминги лучше выбирать

Допустим, вы покупаете для своего ноутбука комплект оперативной памяти из двух планок DDR. В этом случае тайминги будут одинаковые у обоих модулей, что определяет их стабильную работу. Что касается величины, то определяющей является первая цифра, обозначаемая, как CL-9. А значения 9-9-9-24 можно охарактеризовать, как средние по быстродействию.

Вы также можете подобрать себе оперативную память в качестве апгрейда. Здесь также нужно придерживаться правила равных таймингов и не допускать, чтобы какой-то из них, например, опережал другой почти на треть цикла.

Если же вы намерены установить на ПК самую быструю память, что следует учесть, что, например, тайминги 4-4-4-8, 5-5-5-15 и 7-7-7-21 могут обеспечить очень быстрый доступ к данным, но процессор и материнская плата не смогут этим воспользоваться. При этом важно, чтобы в материнской плате была возможность вручную установить тайминги для ОЗУ.

Как узнать тайминги оперативной памяти

Для этих целей не обязательно вскрывать корпус и вытаскивать из слотов планки оперативной памяти. Специальная бесплатная утилита CPU-Z позволит быстро узнать нужные цифры таймингов. Скачать ее можно с сайта программы.

Как посчитать тайминг самому

Для вычисления таймингов самостоятельно можно использовать довольно простую формулу:

Время задержки (сек) = 1 / Частота передачи (Гц)

Таким образом, из скриншота с CPU-Z можно высчитать, что модуль DDR3, работающий с частотой 400 МГц (половина декларируемого производителем значения, т.е. 800 МГц) будет выдавать примерно:

1 / 400 000 000 = 2,5 нсек (наносекунд)

периода полного цикла (время такта). А теперь считаем задержку для обоих вариантов, представленных на рисунках. При таймингах CL-11 модуль будет выдавать задержки периодом 2,5 х 11 = 27,5 нсек. В CPU-Z это значение показано как 28. Как видно из формулы, чем ниже каждый из указываемых параметров, тем быстрее будет работать ваша оперативная память.

Как вручную задать тайминги в BIOS

Такая возможность есть не в любой материнской плате — лишь в оверклокерских модификациях. Вы можете попробовать выставить тайминги вручную из предлагаемых системой значений, после чего нужно внимательно следить за стабильностью работы ПК под нагрузкой. Если в БИОС специальных настроек не предусмотрено, то стоит смириться с теми, которые установлены по умолчанию.

Читайте также:

Фото: компании-производители

Источник

Разгон оперативной памяти DDR4 на AMD Ryzen и Intel Core

На github.com кто-то заморочился и сделал полноценный гайд по разгону оперативной памяти DDR4 на Intel и AMD Ryzen. А в качестве базовой информации в дополнении к нашему видео он будет полезен каждому.

Делимся переводом, приятного прочтения.

Содержание

Подготовка

Ожидания и ограничения

В этом разделе рассматриваются 3 компонента, влияющие на процесс разгона: микросхемы (чипы памяти), материнская плата и встроенный контроллер памяти (IMC).

Материнская плата

Замечено также, что дешёвые материнские платы могут не разогнаться, возможно по причине низкого качества печатной платы и недостаточного количества слоёв (?).

Микросхемы (чипы памяти)

Отчёты Thaiphoon Burner

По общему мнению, свои отбракованные низкосортные чипы Micron реализует под брендом SpecTek. Многие стали называть этот чип “Micron E-die” или даже просто “E-die”. Если в первом случае ещё куда ни шло, то во втором уже возникает путаница, поскольку подобная маркировка («буква-die») используется у микросхем Samsung, например – “4 Гб Samsung E-die”. Под “E-die” обычно подразумевается чип Samsung, поэтому стоит уточнять производителя, говоря о чипах Micron Rev. E как об “E-die”.

Масштабирование напряжения попросту означает, как чип реагирует на изменение напряжения. Во многих микросхемах tCL масштабируется с напряжением, что означает, что увеличение напряжения может позволить вам снизить tCL. В то время как tRCD и tRP на большинстве микросхем, как правило, не масштабируются с напряжением, а это означает, что независимо от того, какое напряжение вы подаёте, эти тайминги не меняются. Насколько я знаю, tCL, tRCD, tRP и, возможно, tRFC могут (либо не могут) видеть масштабирование напряжения. Аналогичным образом, если тайминг масштабируется с напряжением, это означает, что вы можете увеличить напряжение, чтобы соответствующий тайминг работал на более высокой частоте.

Масштабирование напряжения CL11

На графике видно, что tCL у CJR 8 Гб масштабируется с напряжением почти ровно до 2533 МГц. У B-die мы видим идеально-ровное масштабирование tCL с напряжением.

Некоторые старые чипы Micron (до Rev. E) известны своим отрицательным масштабированием с напряжением. То есть при повышении напряжения (как правило, выше 1,35 В) они становятся нестабильными на тех же таймингах и частоте. Ниже приведена таблица некоторых популярных чипов, показывающая, какие тайминги в них масштабируются с напряжением, а какие нет:

Тайминги, которые не масштабируются с напряжением, как правило необходимо увеличивать с частотой. Масштабирование напряжения tRFC у B-die.

Примечание: Шкала tRFC в тактах (тиках), не во времени (нс).

Ожидаемая максимальная частота

Ниже приведена таблица предполагаемых максимальных частот некоторых популярных чипов:

* – результаты тестирования CJR у меня получились несколько противоречивыми. Я тестировал 3 одинаковых планки RipJaws V 3600 CL19 8 Гб. Одна из них работала на частоте 3600 МГц, другая – на 3800 МГц, а последняя смогла работать на 4000 МГц. Тестирование проводилось на CL16 с 1,45 В.

Не ждите, что одинаковые, но разнородные по качеству, чипы производителя одинаково хорошо разгонятся. Это особенно справедливо для B-die.

Суть биннинга заключается в разделении производителем полученной на выходе продукции «по сортам», качеству. Как правило, сортировка производится по демонстрируемой при тестировании частоте.

Чипы, показывающие одну частоту, производитель отделяет в одну «коробку», другую частоту – в другую «коробку». Отсюда и название процедуры – “binning” (bin – ящик, коробка).

B-die из коробки «2400 15-15-15» намного хуже чем из коробки «3200 14-14-14» или даже из «3000 14-14-14». Так что не ждите, что третьесортный B-die даст образцовые показатели масштабирования напряжения.

Чтобы выяснить, какой из одинаковых чипов обладает лучшими характеристиками на одном и том же напряжении, нужно найти немасштабируемый с напряжением тайминг.

Просто разделите частоту на этот тайминг, и чем выше значение, тем выше качество чипа. Например, Crucial Ballistix 3000 15-16-16 и 3200 16-18-18 оба на чипах Micron Rev. E. Если мы разделим частоту на масштабируемый с напряжением тайминг tCL, мы получим одинаковое значение (200). Значит ли это, что обе планки – одного сорта? Нет.

А вот tRCD не масштабируется с напряжением, значит его необходимо увеличивать по мере увеличения частоты. 3000/16 = 187,5 против 3200/18 = 177,78.

Как видите, 3000 15-16-16 более качественный чип, нежели 3200 16-18-18. Это означает, что чипы 3000 15-16-16 очевидно смогут работать и как 3200 16-18-18, а вот смогут ли 3200 16-18-18 работать как 3000 15-16-16 – не факт. В этом примере разница в частоте и таймингах невелика, так что разгон этих планок будет, скорее всего, очень похожим.

Максимальное рекомендованное повседневное напряжение

Спецификация JEDEC указывает (стр. 174), что абсолютный максимум составляет 1,50 В

Напряжения, превышающие приведенные в разделе «Абсолютные максимальные значения», могут привести к выходу устройства из строя. Это только номинальная нагрузка, и функциональная работа устройства при этих или любых других условиях выше тех, которые указаны в соответствующих разделах данной спецификации, не подразумевается. Воздействие абсолютных максимальных номинальных значений в течение длительного периода может повлиять на надежность.

Я бы советовал использовать 1,5 В только на B-die, поскольку известно, что он выдерживает высокое напряжение. Во всяком случае, у большинства популярных чипов (4/8 Гб AFR, 8 Гб CJR, 8 Гб Rev. E, 4/8 Гб MFR) максимальное рекомендуемое напряжение составляет 1,45 В. Сообщалось, что некоторые из менее известных чипов, таких как 8 Гб C-die, имеют отрицательное масштабирование или даже сгорают при напряжении выше 1,20 В. Впрочем, решать вам.

Ниже показано, как самые распространенные чипы ранжируются с точки зрения частоты и таймингов.

Встроенный контроллер памяти (IMC)

IMC от Intel достаточно устойчивый, поэтому при разгоне он не должен быть узким местом. Ну а чего ещё ждать от 14+++++ нм?

Для разгона RAM необходимо изменить два напряжения: System Agent (VCCSA) и IO (VCCIO). Не оставляйте их в режиме “Auto”, так как они могут подать опасные уровни напряжения на IMC, что может ухудшить его работу или даже спалить его. Большую часть времени можно держать VCCSA и VCCIO одинаковыми, но иногда перенапряжение может нанести ущерб стабильности, что видно из скриншота:

предоставлено: Silent_Scone.

Я не рекомендовал бы подниматься выше 1,25 В на обоих.

Ниже – предлагаемые мной значения VCCSA и VCCIO для двух одноранговых модулей DIMM:

Если модулей больше, и/или используются двуранговые модули, то может потребоваться более высокое напряжение VCCSA и VCCIO.

tRCD и tRP взаимосвязаны, то есть, если вы установите tRCD на 16, а tRP на 17, то оба будут работать с более высоким таймингом (17). Это ограничение объясняет, почему многие чипы работают не очень хорошо на Intel и почему для Intel лучше подходит B-die.

В UEFI Asrock и EVGA оба тайминга объединены в tRCDtRP. В UEFI ASUS tRP скрыт. В UEFI MSI и Gigabyte tRCD и tRP видны, но попытка установить для них разные значения приведет просто к установке более высокого значения для обоих.

Ожидаемый диапазон латентности памяти: 40-50 нс.

В Ryzen 1000 и 2000 IMC несколько привередлив к разгону и может не дать столь же высоких частот, как Intel. IMC Ryzen 3000 намного лучше и более-менее наравне с Intel.

SoC voltage – это напряжение для IMC, и, как и в случае с Intel, не рекомендуется оставлять его в “Auto” режиме. Тут достаточно 1,0 – 1,1 В, поднимать выше смысла нет.

На Ryzen 2000 (а возможно и на 1000 и 3000), вольтаж выше 1,15 В может отрицательно повлиять на разгон.

«На разных процессорах контроллер памяти ведет себя по-разному. Большинство процессоров будут работать на частоте 3466 МГц и выше при напряжении SoC 1,05 В, однако разница заключается в том, как разные процессоры реагируют на напряжение. Одни выглядят масштабируемыми с повышенным напряжением SoC, в то время как другие просто отказываются масштабироваться или вовсе демонстрируют отрицательное масштабирование. Все протестированные экземпляры демонстрировали отрицательное масштабирование при использовании SoC более 1,15 В. Во всех случаях максимальная частота памяти была достигнута при напряжении SoC = GDM вкл CR 1T > GDM откл CR 2T.

У процессоров Ryzen 3000 с одним CCD (процессоры серий ниже 3900X) пропускная способность записи вдвое меньше.

«В пропускной способности памяти мы видим нечто странное: скорость записи у AMD 3700X – у которого скорость записи благодаря соединению кристаллов CDD и IOD составляет 16 байт/такт – вдвое меньше, чем у 3900X. AMD заявляет, что это позволяет экономить электроэнергию, снизить нагрев процессора (TDP), к чему так стремится AMD. AMD говорит, что приложения редко делают чистые операции записи, но в одном из наших тестов на следующей странице мы увидим, как это ухудшило производительность 3700X.»

Достаточно высокий FCLK у Ryzen 3000 может компенсировать потери от десинхронизации MCLK и FCLK, при условии, что вы можете назначить MCLK для UCLK.

Разгон

Дисклеймер: потенциал разгона сильно зависит от «кремниевой лотереи» (чип чипу рознь), поэтому могут быть некоторые отклонения от моих предложений.

Процесс разгона достаточно прост и выполняется в 3 шага:

Нахождение максимальной частот

На AMD начинать нужно с 1.10 В SoC. Напряжение SoC может называться по-разному в зависимости от производителя.

Обратите внимание, что это добавочное напряжение. Базовое напряжение изменяется автоматически при увеличении частоты DRAM. Напряжение 0,10 В на частоте 3000 МГц может привести к фактическому напряжению 1,10 В, а 0,10 В на частоте 3400 МГц приводит уже к фактическому напряжению 1,20 В. MSI: CPU NB/SOC.

2. Установите напряжение DRAM 1,4 В. Для планок на чипах Micron/SpecTek (за исключением Rev. E) следует установить 1,35 В.

3. Выставите основные тайминги следующим образом: 16-20-20-40 (tCL-tRCD-tRP-tRAS). Подробнее об этих таймингах читайте тут (на англ.)

4. Постепенно увеличивайте частоту DRAM до тех пор, пока Windows не откажет. Помните об ожидаемых максимальных частотах, упомянутых выше. На Intel, быстрый способ узнать, нестабильны ли вы, это следить за значениями RTL и IOL. Каждая группа RTL и IOL соответствует каналу. В каждой группе есть 2 значения, которые соответствуют каждому DIMM. Используйте Asrock Timing Configurator. Поскольку у меня обе планки стоят во вторых слотах каждого канала, мне нужно посмотреть на D1 в каждой группе RTL и IOL. Значения RTL у планок не должны разниться между собой более чем на 2, а значения IOL более чем на 1.

В моём случае, RTL разнятся ровно на 2 (53 и 55), а значения IOL не разнятся вовсе (7 у обоих планок). Все значения в пределах допустимых диапазонов, однако имейте в виду, что это ещё не значит, что всё действительно стабильно.

На Ryzen 3000 – убедитесь, что частота Infinity Fabric (FCLK) установлена равной половине вашей действующей частоты DRAM.

5. Запустите тест памяти на свой выбор.

6. При зависании/краше/BSOD, верните частоту DRAM на ступень ниже и повторите тестирование.

7. Сохраните ваш профиль разгона в UEFI.

8. Теперь вы можете либо попытаться перейти на ещё более высокую частоту, либо начать подтягивать тайминги. Ее забывайте об ожидаемых максимальных частотах, о которых мы говорили ранее. Если вы достигли пределов возможностей чипа и/или IMC, то самое время заняться оптимизацией таймингов.

Пробуем повысить частоты

2. Увеличьте основные тайминги до 18-22-22-42.
3. Повысьте вольтаж DRAM до 1,45 В.
4. Выполните шаги 4-7 из раздела «Нахождение максимальной частоты».
5. Выполните оптимизацию («подтягивание») таймингов.

Дополнительно: Тайминги и частота — разрушаем мифы